wmk_product_02

עפּיטאַקסיאַל (עפּי) סיליציום וואַפער

באַשרייַבונג

עפּיטאַקסיאַל סיליציום וואַפעראָדער EPI סיליציום וואַפער, איז אַ ווייפער פון סעמיקאַנדאַקטינג קריסטאַל שיכטע דאַפּאַזיטיד אויף די פּאַלישט קריסטאַל ייבערפלאַך פון אַ סיליציום סאַבסטרייט דורך עפּיטאַקסיאַל וווּקס.די עפּיטאַקסיאַל שיכטע קען זיין דער זעלביקער מאַטעריאַל ווי די סאַבסטרייט דורך כאָומאַדזשיניאַס עפּיטאַקסיאַל וווּקס, אָדער אַ עקזאָטיש שיכטע מיט ספּעציפיש דיזייעראַבאַל קוואַליטעט דורך כעטעראַדזשיניאַס עפּיטאַקסיאַל גראָוט, וואָס אַדאַפּץ עפּיטאַקסיאַל גראָוט טעכנאָלאָגיע כולל כעמישער פארע דעפּאַזישאַן קווד, פליסיק פאַסע עפּיטאַקסי לפּע, ווי געזונט ווי מאָלעקולאַר שטראַל. עפּיטאַקסי מבע צו דערגרייכן דעם העכסטן קוואַליטעט פון נידעריק כיסאָרן געדיכטקייַט און גוט ייבערפלאַך ראַפנאַס.סיליציום עפּיטאַקסיאַל וואַפערס זענען בפֿרט געניצט אין דער פּראָדוקציע פון ​​אַוואַנסירטע סעמיקאַנדאַקטער דעוויסעס, העכסט ינאַגרייטיד סעמיקאַנדאַקטער עלעמענטן ICs, דיסקרעטע און מאַכט דעוויסעס, אויך יוטאַלייזד פֿאַר עלעמענט פון דייאָוד און טראַנזיסטאָר אָדער סאַבסטרייט פֿאַר יק אַזאַ ווי בייפּאָולער טיפּ, MOS און BiCMOS דעוויסעס.דערצו, קייפל שיכטע עפּיטאַקסיאַל און דיק פילם EPI סיליציום ווייפערז זענען אָפט געניצט אין מיקראָעלעקטראָניקס, פאָטאָניקס און פאָטאָוואָלטאַיקס אַפּלאַקיישאַן.

עקספּרעס

עפּיטאַקסיאַל סיליציום וואַפערס אָדער EPI סיליציום וואַפער ביי Western Minmetals (SC) קאָרפּאָראַטיאָן קענען זיין געפֿינט אין גרייס פון 4, 5 און 6 אינטש (100 מם, 125 מם, 150 מם דיאַמעטער), מיט אָריענטירונג <100>, <111>, עפּילייַער רעסיסטיוויטי פון <1 אָהם -סענטימעטער אָדער אַרויף צו 150 אָהם-סענטימעטער, און עפּילייַער גרעב פון <1ום אָדער אַרויף צו 150ום, צו באַפרידיקן די פאַרשידן רעקווירעמענץ אין ייבערפלאַך ענדיקן פון עטשט אָדער לטאָ באַהאַנדלונג, פּאַקט אין קאַסעט מיט קאַרטאַן קעסטל אַרויס, אָדער ווי קאַסטאַמייזד ספּעסאַפאַקיישאַנז צו די שליימעסדיק לייזונג . 


דעטאַילס

טאַגס

טעכניש ספּעסיפיקאַטיאָן

עפּי סיליציום וואַפער

SIE-W

עפּיטאַקסיאַל סיליציום וואַפערסאָדער EPI סיליציום וואַפער ביי Western Minmetals (SC) קאָרפּאָראַטיאָן קענען זיין געפֿינט אין גרייס פון 4, 5 און 6 אינטש (100 מם, 125 מם, 150 מם דיאַמעטער), מיט אָריענטירונג <100>, <111>, עפּילייַער רעסיסטיוויטי פון <1 אָהם-סענטימעטער אָדער אַרויף צו 150 אָהם-סענטימעטער, און עפּילייַער גרעב פון <1ום אָדער אַרויף צו 150ום, צו באַפרידיקן די פאַרשידן רעקווירעמענץ אין ייבערפלאַך ענדיקן פון עטשט אָדער לטאָ באַהאַנדלונג, פּאַקט אין קאַסעט מיט קאַרטאַן קעסטל אַרויס, אָדער ווי קאַסטאַמייזד ספּעסאַפאַקיישאַנז צו די שליימעסדיק לייזונג.

סימבאָל Si
אַטאָמישע נומער 14
אַטאָמישע וואָג 28.09
עלעמענט קאַטעגאָריע מעטאַללאָיד
גרופּע, פּעריאָד, בלאָק 14, 3, פּ
קריסטאַל סטרוקטור דימענט
פאַרב טונקל גרוי
מעלטינג פונט 1414°C, 1687.15 ק
בוילינג פונט 3265°C, 3538.15 ק
געדיכטקייַט ביי 300K 2.329 ג / סענטימעטער3
ינטרינסיק רעסיסטיוויטי 3.2E5 Ω-סענטימעטער
CAS נומער 7440-21-3
עק נומער 231-130-8
ניין. זאכן נאָרמאַל ספּעסיפיקאַטיאָן
1 אַלגעמיינע קעראַקטעריסטיקס
1-1 גרייס 4" 5" 6"
1-2 דיאַמעטער מם 100±0.5 125±0.5 150±0.5
1-3 אָריענטירונג <100>, <111> <100>, <111> <100>, <111>
2 עפּיטאַקסיאַל שיכטע טשאַראַקטעריסטיקס
2-1 גראָוט מעטאַד CVD CVD CVD
2-2 קאַנדאַקטיוואַטי טיפּ P אָדער P+, N/ אָדער N+ P אָדער P+, N/ אָדער N+ P אָדער P+, N/ אָדער N+
2-3 גרעב μm 2.5-120 2.5-120 2.5-120
2-4 גרעב וניפאָרמאַטי ≤3% ≤3% ≤3%
2-5 רעסיסטיוויטי Ω-סענטימעטער 0.1-50 0.1-50 0.1-50
2-6 רעסיסטיוויטי וניפאָרמאַטי ≤3% ≤5% -
2-7 דיסלאָוקיישאַן סענטימעטער-קסנומקס <10 <10 <10
2-8 ייבערפלאַך קוואַליטעט קיין שפּאָן, האַזע אָדער מאַראַנץ שאָלעכץ בלייבט, אאז"ו ו.
3 שעפּן סאַבסטרייט קעראַקטעריסטיקס
3-1 גראָוט מעטאַד CZ CZ CZ
3-2 קאַנדאַקטיוואַטי טיפּ P/N P/N P/N
3-3 גרעב μm 525-675 525-675 525-675
3-4 גרעב וניפאָרמאַטי מאַקס 3% 3% 3%
3-5 רעסיסטיוויטי Ω-סענטימעטער ווי פארלאנגט ווי פארלאנגט ווי פארלאנגט
3-6 רעסיסטיוויטי וניפאָרמאַטי 5% 5% 5%
3-7 TTV μm מאַקס 10 10 10
3-8 בויגן μm מאַקס 30 30 30
3-9 וואָרפּ μm מאַקס 30 30 30
3-10 EPD סענטימעטער-2 מאַקס 100 100 100
3-11 עדזש פּראָפיל ראַונדיד ראַונדיד ראַונדיד
3-12 ייבערפלאַך קוואַליטעט קיין שפּאָן, האַזע אָדער מאַראַנץ שאָלעכץ בלייבט, אאז"ו ו.
3-13 צוריק זייַט ענדיקן עטשט אָדער לטאָ (5000±500Å)
4 פּאַקינג קאַסעט ין, קאַרטאַן קעסטל אַרויס.

סיליציום עפּיטאַקסיאַל וואַפערסזענען בפֿרט געניצט אין דער פּראָדוקציע פון ​​אַוואַנסירטע סעמיקאַנדאַקטער דעוויסעס, העכסט ינאַגרייטיד סעמיקאַנדאַקטער עלעמענטן ICs, דיסקרעטע און מאַכט דעוויסעס, אויך יוטאַלייזד פֿאַר עלעמענט פון דייאָוד און טראַנזיסטאָר אָדער סאַבסטרייט פֿאַר יק אַזאַ ווי בייפּאָולער טיפּ, MOS און BiCMOS דעוויסעס.דערצו, קייפל שיכטע עפּיטאַקסיאַל און דיק פילם EPI סיליציום ווייפערז זענען אָפט געניצט אין מיקראָעלעקטראָניקס, פאָטאָניקס און פאָטאָוואָלטאַיקס אַפּלאַקיישאַן.

GaSb-W

SIE-W1

sm6

SIE-W3

s8

PK-26 (2)

ייַנשאַפונג עצות

  • מוסטער בנימצא אויף בעטן
  • זיכערקייַט עקספּרעס פון סכוירע דורך קעריער / לופט / ים
  • COA / COC קוואַליטי מאַנאַגעמענט
  • זיכער און באַקוועם פּאַקינג
  • UN סטאַנדאַרד פּאַקינג בנימצא אויף בעטן
  • ISO9001:2015 סערטאַפייד
  • קפּט / סיפּ / פאָב / קפר תּנאָים דורך ינקאָטערמס 2010
  • פלעקסאַבאַל צאָלונג תּנאָים ט / טד / פּל / C פּאַסיק
  • גאַנץ דימענשאַנאַל נאָך-סאַלע באַדינונגס
  • קוואַליטעט דורכקוק דורך סאַטע-פון-דעם-קונסט מעכירעס
  • האַסקאָמע פון ​​​​Rohs / REACH רעגולאַטיאָנס
  • נאַן-אַנטפּלעקונג אַגרעעמענץ NDA
  • ניט-קאָנפליקט מינעראַל פּאָליטיק
  • רעגולער ענוויראָנמענטאַל מאַנאַגעמענט איבערבליק
  • סאציאל פֿאַראַנטוואָרטלעכקייט מקיים

עפּיטאַקסיאַל סיליציום וואַפער


  • פֿריִער:
  • ווייַטער:

  • QR קאָד