ינדיום פאָספידע ינפּ

באַשרייַבונג

ינדיום פאָספידע ינפּ,CAS No.22398-80-7, מעלטינג פונט 1600 ° C, אַ ביינערי קאַמפּאַונד סעמיקאַנדאַקטער פון די III-V משפּחה, אַ פּנים-צענטערעד קוביק "צינק בלענדינג" קריסטאַל סטרוקטור, יידעניקאַל צו רובֿ פון די III-V סעמיקאַנדאַקטערז, איז סינטאַסייזד פֿון 6N 7N הויך ריינקייַט ינדיום און פאָספאָרוס עלעמענט, און דערוואַקסן אין איין קריסטאַל דורך LEC אָדער VGF טעכניק.ינדיום פאָספידע קריסטאַל איז דאָפּט צו זיין n-טיפּ, פּ-טיפּ אָדער האַלב-ינסאַלייטינג קאַנדאַקטיוואַטי פֿאַר ווייַטער וואַפער פאַבריקיישאַן אַרויף צו 6 ″ (150 מם) דיאַמעטער, וואָס פֿעיִקייטן זיין דירעקט באַנד ריס, העכער הויך מאָביליטי פון עלעקטראָנס און האָלעס און עפעקטיוו טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי.ינדיום פאָספידע ינפּ ווייפער הויפּט אָדער פּראָבע מיינונג אין Western Minmetals (SC) קאָרפּאָראַטיאָן קענען זיין געפֿינט מיט פּ-טיפּ, n-טיפּ און האַלב-ינסאַלייטינג קאַנדאַקטיוואַטי אין גרייס פון 2 "3" 4" און 6" (אַרויף צו 150 מם) דיאַמעטער, אָריענטירונג <111> אָדער <100> און גרעב 350-625ום מיט ייבערפלאַך ענדיקן פון עטשט און פּאַלישט אָדער עפּי-גרייט פּראָצעס.דערווייַל, ינדיום פאָספידע איין קריסטאַל ינגגאָט 2-6 ″ איז בנימצא אויף בעטן.פּאָליקריסטאַללינע ינדיום פאָספידע ינפּ אָדער מולטי-קריסטאַל ינפּ ינגגאַט אין גרייס פון ד(60-75) רענטגענ לענג (180-400) מם פון 2.5-6.0 קג מיט טרעגער קאַנסאַנטריישאַן פון ווייניקער ווי 6E15 אָדער 6E15-3E16 איז אויך בנימצא.קיין קאַסטאַמייזד באַשרייַבונג בנימצא אויף בעטן צו דערגרייכן די שליימעסדיק לייזונג.

אַפּפּליקאַטיאָנס

ינדיום פאָספידע ינפּ ווייפער איז וויידלי געניצט פֿאַר די מאַנופאַקטורינג פון אָפּטאָעלעקטראָניק קאַמפּאָונאַנץ, הויך-מאַכט און הויך-אָפטקייַט עלעקטראָניש דעוויסעס, ווי אַ סאַבסטרייט פֿאַר עפּיטאַקסיאַל ינדיום-גאַליום-אַרסענידע (InGaAs) באזירט אָפּטאָ-עלעקטראָניק דעוויסעס.ינדיום פאָספידע איז אויך אין די פאַבריקיישאַן פֿאַר גאָר פּראַמאַסינג ליכט קוואלן אין אָפּטיש פיברע קאָמוניקאַציע, מייקראַווייוו מאַכט מקור דעוויסעס, מייקראַווייוו אַמפּלאַפייערז און טויער FET דעוויסעס, הויך-גיכקייַט מאַדזשאַלייטערז און פאָטאָ-דעטעקטאָרס, און סאַטעליט נאַוויגאַציע און אַזוי אויף.

אָנפרעג איצט

דעטאַילס

טאַגס

טעכניש ספּעסיפיקאַטיאָן

ינדיום פאָספידע ינפּ

ינדיום פאָספידע איין קריסטאַלווייפער (ינפּ קריסטאַל ינגגאָט אָדער ווייפער) ביי מערב מינמעטאַלס (סק) קאָרפּאָראַטיאָן קענען זיין געפֿינט מיט פּ-טיפּ, n-טיפּ און האַלב-ינסאַלייטינג קאַנדאַקטיוואַטי אין גרייס פון 2 "3" 4 "און 6" (אַרויף צו 150 מם) דיאַמעטער, אָריענטירונג <111> אָדער <100> און גרעב 350-625ום מיט ייבערפלאַך ענדיקן פון עטשט און פּאַלישט אָדער עפּי-גרייט פּראָצעס.

ינדיום פאָספידע פּאָליקריסטאַללינעאָדער מולטי-קריסטאַל ינגגאַט (ינפּ פּאָלי ינגגאַט) אין גרייס פון ד(60-75) רענטגענ ל(180-400) מם פון 2.5-6.0 קג מיט טרעגער קאַנסאַנטריישאַן פון ווייניקער ווי 6E15 אָדער 6E15-3E16 איז בנימצא.קיין קאַסטאַמייזד באַשרייַבונג בנימצא אויף בעטן צו דערגרייכן די שליימעסדיק לייזונג.

ניין.	זאכן	נאָרמאַל ספּעסיפיקאַטיאָן
1	ינדיום פאָספידע איין קריסטאַל	2"	3"	4"
2	דיאַמעטער מם	50.8±0.5	76.2±0.5	100±0.5
3	גראָוט מעטאַד	VGF	VGF	VGF
4	קאַנדאַקטיוואַטי	פּ / זן-דאָפּט, ען / (ס-דאָפּט אָדער אַנ-דאָפּט), האַלב-ינסאַלייטינג
5	אָריענטירונג	(100)±0.5°, (111)±0.5°
6	גרעב μm	350±25	600±25	600±25
7	אָריענטירונג פלאַך מם	16±2	22±1	32.5±1
8	לעגיטימאַציע פלאַך מם	8±1	11±1	18±1
9	מאָביליטי קמ2 / ווס	50-70,>2000, (1.5-4) ע3
10	טרעגער קאַנסאַנטריישאַן סענטימעטער-3	(0.6-6)E18, ≤3E16
11	TTV μm מאַקס	10	10	10
12	בויגן μm מאַקס	10	10	10
13	וואָרפּ μm מאַקס	15	15	15
14	דיסלאָוקיישאַן געדיכטקייַט סענטימעטער-2 מאַקס	500	1000	2000
15	ייבערפלאַך ענדיקן	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	פּאַקינג	איין ווייפער קאַנטיינער געחתמעט אין אַלומינום קאָמפּאָסיטע זעקל.

ניין.	זאכן	נאָרמאַל ספּעסיפיקאַטיאָן
1	ינדיום פאָספידע ינגגאָט	פּאָלי-קריסטאַללינע אָדער מולטי-קריסטאַל ינגגאָט
2	קריסטאַל גרייס	ד(60-75) רענטגענ ל(180-400)מם
3	וואָג פּער קריסטאַל ינגגאָט	2.5-6.0 קג
4	מאָביליטי	≥3500 סענטימעטער²/VS
5	קאַריער קאַנסאַנטריישאַן	≤6E15 אָדער 6E15-3E16 סענטימעטער^-3
6	פּאַקינג	יעדער ינפּ קריסטאַל ינגגאַט איז אין געחתמעט פּלאַסטיק זעקל, 2-3 ינגגאַץ אין איין קאַרטאַן קעסטל.

לינעאַר פאָרמולע	InP
מאָלעקולאַר וואָג	145.79
קריסטאַל סטרוקטור	זינק געמיש
אויסזען	קריסטאַליין
מעלטינג פונט	1062°C
בוילינג פונט	N/A
געדיכטקייַט ביי 300K	4.81 ג / סענטימעטער³
ענערגיע גאַפּ	1.344 eV
ינטרינסיק רעסיסטיוויטי	8.6E7 Ω-סענטימעטער
CAS נומער	22398-80-7
עק נומער	244-959-5

ינדיום פאָספידע ינפּ וואַפעראיז וויידלי געניצט פֿאַר די מאַנופאַקטורינג פון אָפּטאָעלעקטראָניק קאַמפּאָונאַנץ, הויך-מאַכט און הויך-אָפטקייַט עלעקטראָניש דעוויסעס, ווי אַ סאַבסטרייט פֿאַר עפּיטאַקסיאַל ינדיום-גאַליום-אַרסענידע (InGaAs) באזירט אָפּטאָ-עלעקטראָניש דעוויסעס.ינדיום פאָספידע איז אויך אין די פאַבריקיישאַן פֿאַר גאָר פּראַמאַסינג ליכט קוואלן אין אָפּטיש פיברע קאָמוניקאַציע, מייקראַווייוו מאַכט מקור דעוויסעס, מייקראַווייוו אַמפּלאַפייערז און טויער FET דעוויסעס, הויך-גיכקייַט מאַדזשאַלייטערז און פאָטאָ-דעטעקטאָרס, און סאַטעליט נאַוויגאַציע און אַזוי אויף.