ינדיום אַנטימאָנידע ינסב

באַשרייַבונג

Iנידיום אַנטימאָנידע ינסב, אַ האַלב-קאַנדאַקטער פון די גרופּע III-V קריסטאַליין קאַמפּאַונדז מיט צינק-בלענדיד לאַטאַס סטרוקטור, איז סינטאַסייזד דורך 6N 7N הויך ריינקייַט ינדיום און אַנטימאָני עלעמענטן, און דערוואַקסן איין קריסטאַל דורך VGF אופֿן אָדער Liquid Encapsulated Czochralski LEC אופֿן פֿון קייפל זאָנע ראַפינירט פּאָליקריסטאַללינע ינגגאָט, וואָס קענען זיין סלייסט און פאַבריקייטיד אין ווייפער און בלאָק דערנאָך.InSb איז אַ דירעקט יבערגאַנג סעמיקאַנדאַקטער מיט אַ שמאָל באַנד ריס פון 0.17eV אין צימער טעמפּעראַטור, הויך סענסיטיוויטי צו 1-5μם ווייוולענגט און הינטער הויך האַלל מאָביליטי.ינדיום אַנטימאָנידע ינסב n-טיפּ, פּ-טיפּ און האַלב-ינסאַלייטינג קאַנדאַקטיוואַטי אין Western Minmetals (SC) קאָרפּאָראַטיאָן קענען זיין געפֿינט אין גרייס פון 1″ 2″ 3″ און 4″ (30 מם, 50 מם, 75 מם, 100 מם) דיאַמעטער, אָריענטירונג < 111> אָדער <100>, און מיט ווייפער ייבערפלאַך ענדיקן פון ווי-שנייַדן, לאַפּט, עטשט און פּאַלישט.ינדיום אַנטימאָנידע ינסב ציל פון דיאַ.50-80 מם מיט אַנ-דאַפּט N-טיפּ איז אויך בנימצא.דערווייַל, פּאָליקריסטאַללינע ינדיום אַנטימאָנידע ינסב (מולטיקריסטאַל ינסב) מיט ירעגיאַלער שטיק, אָדער ליידיק (15-40) רענטגענ (40-80) מם, און קייַלעכיק באַר פון ד30-80 מם, זענען אויך קאַסטאַמייזד אויף בעטן צו די שליימעסדיק לייזונג.

אַפּפּליקאַטיאָן

ינדיום אַנטימאָנידע InSb איז איין ידעאַל סאַבסטרייט פֿאַר די פּראָדוקציע פון פילע מאָדערן קאַמפּאָונאַנץ און דעוויסעס, אַזאַ ווי אַוואַנסירטע טערמאַל ימאַגינג לייזונג, FLIR סיסטעם, זאַל עלעמענט און מאַגנעטאָרעסיאַנס ווירקונג עלעמענט, ינפרערעד כאָומינג מיסאַל גיידאַנס סיסטעם, העכסט אָפּרופיק ינפרערעד פאָטאָדעטעקטאָר סענסער , הויך-פּינטלעכקייַט מאַגנעטיק און דריי רעסיסטיוויטי סענסער, פאָקאַל פּלאַנאַר ערייז, און אויך צוגעפאסט ווי אַ טעראַהרץ ראַדיאַציע מקור און אין ינפרערעד אַסטראַנאַמיקאַל פּלאַץ טעלעסקאָפּ עטק.

אָנפרעג איצט

דעטאַילס

טאַגס

טעכניש ספּעסיפיקאַטיאָן

ינדיום אַנטימאָנידע

אינסב

ינדיום אַנטימאָנידע סאַבסטרייט(InSb סאַבסטרייט, InSb וואַפער) n-טיפּ אָדער פּ-טיפּ אין Western Minmetals (SC) קאָרפּאָראַטיאָן קענען זיין געפֿינט אין גרייס פון 1" 2" 3" און 4" (30, 50, 75 און 100 מם) דיאַמעטער, אָריענטירונג <111> אָדער <100>, און ינדיום אַנטימאָנידע סינגלע קריסטאַל באַר (ינסב מאָנאָקריסטאַל באַר) קענען אויך זיין סאַפּלייד אויף בעטן.

ינדיום אַנטימאָנידעPאָליקריסטאַללינע (ינסב פּאָליקריסטאַללינע, אָדער מולטיקריסטאַל ינסב) מיט ירעגיאַלער שטיק אָדער ליידיק (15-40) רענטגענ (40-80) מם זענען אויך קאַסטאַמייזד אויף בעטן צו די שליימעסדיק לייזונג.

דערווייַל, ינדיום אַנטימאָנידע טאַרגעט (ינסב טאַרגעט) פון דיאַ.50-80מם מיט אַנ-דאָפּט N-טיפּ איז אויך בנימצא.

ניין.	זאכן	נאָרמאַל ספּעסיפיקאַטיאָן
1	ינדיום אַנטימאָנידע סאַבסטרייט	2"	3"	4"
2	דיאַמעטער מם	50.5±0.5	76.2±0.5	100±0.5
3	גראָוט מעטאַד	LEC	LEC	LEC
4	קאַנדאַקטיוואַטי	פּ-טיפּ/זן, גע דאָפּט, ען-טיפּ/טע-דאָפּט, ונ-דאָפּט
5	אָריענטירונג	(100)±0.5°, (111)±0.5°
6	גרעב μm	500±25	600±25	800±25
7	אָריענטירונג פלאַך מם	16±2	22±1	32.5±1
8	לעגיטימאַציע פלאַך מם	8±1	11±1	18±1
9	מאָביליטי קמ2/וו	1-7E5 N / ניט-דאָפּט, 3E5-2E4 N / טע-דאָפּט, 8-0.6E3 אָדער ≤8E13 P/Ge-Doped
10	טרעגער קאַנסאַנטריישאַן סענטימעטער-3	6E13-3E14 N/ניט-דאָפּט, 3E14-2E18 N/Te-Doped, 1E14-9E17 אָדער <1E14 P/Ge-Doped
11	TTV μm מאַקס	15	15	15
12	בויגן μm מאַקס	15	15	15
13	וואָרפּ μm מאַקס	20	20	20
14	דיסלאָוקיישאַן געדיכטקייַט סענטימעטער-2 מאַקס	50	50	50
15	ייבערפלאַך ענדיקן	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	פּאַקינג	איין ווייפער קאַנטיינער געחתמעט אין אַלומינום זעקל.

ניין.	זאכן	נאָרמאַל ספּעסיפיקאַטיאָן
ניין.	זאכן	Iנידיום אַנטימאָנידע פּאָליקריסטאַללינע	ינדיום אַנטימאָנידע ציל
1	קאַנדאַקטיוואַטי	אַנדאָפּעד	אַנדאָפּעד
2	טרעגער קאַנסאַנטריישאַן סענטימעטער^-3	6E13-3E14	1.9-2.1E16
3	מאָביליטי סענטימעטער²/Vs	5-7E5	6.9-7.9E4
4	גרייס	15-40x40-80 מם	ד(50-80) מם
5	פּאַקינג	אין קאָמפּאָסיטע אַלומינום זעקל, קאַרטאַן קעסטל אַרויס

לינעאַר פאָרמולע	אינסב
מאָלעקולאַר וואָג	236.58
קריסטאַל סטרוקטור	זינק געמיש
אויסזען	טונקל גרוי מעטאַלליק קריסטאַלז
מעלטינג פונט	527 °C
בוילינג פונט	N/A
געדיכטקייַט ביי 300K	5.78 ג / סענטימעטער³
ענערגיע גאַפּ	0.17 eV
ינטרינסיק רעסיסטיוויטי	4E(-3) Ω-קם
CAS נומער	1312-41-0
עק נומער	215-192-3

ינדיום אַנטימאָנידע ינסבווייפער איז איין ידעאַל סאַבסטרייט פֿאַר די פּראָדוקציע פון פילע מאָדערן קאַמפּאָונאַנץ און דעוויסעס, אַזאַ ווי אַוואַנסירטע טערמאַל ימאַגינג לייזונג, FLIR סיסטעם, זאַל עלעמענט און מאַגנעטאָרעסיסטאַנס ווירקונג עלעמענט, ינפרערעד כאָומינג מיסאַל גיידאַנס סיסטעם, העכסט אָפּרופיק ינפרערעד פאָטאָדעטעקטאָר סענסער, הויך - פּינטלעכקייַט מאַגנעטיק און דריי רעסיסטיוויטי סענסער, פאָקאַל פּלאַנער ערייז, און אויך צוגעפאסט ווי אַ טעראַהערטז ראַדיאַציע מקור און אין ינפרערעד אַסטראַנאַמיקאַל פּלאַץ טעלעסקאָפּ עטק.