סיליציום קאַרבידע סיק

באַשרייַבונג

סיליציום קאַרבידע וואַפער סיק, איז זייער שווער, סינטעטיש געשאפן קריסטאַליין קאַמפּאַונד פון סיליציום און טשאַד דורך MOCVD אופֿן, און יגזיבאַץזייַן יינציק ברייט-באַנד ריס און אנדערע גינציק קעראַקטעריסטיקס פון נידעריק קאָואַפישאַנט פון טערמאַל יקספּאַנשאַן, העכער אַפּערייטינג טעמפּעראַטור, גוט היץ דיסיפּיישאַן, נידעריקער סוויטשינג און קאַנדאַקשאַן לאָססעס, מער ענערגיע עפעקטיוו, הויך טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי און שטארקער עלעקטריק פעלד ברייקדאַון שטאַרקייַט, ווי געזונט ווי מער קאַנסאַנטרייטאַד קעראַנץ. צושטאַנד.סיליציום קאַרבידע סיק ביי Western Minmetals (SC) קאָרפּאָראַטיאָן קענען זיין צוגעשטעלט אין די גרייס פון 2 ″ 3' 4 ″ און 6 ″ (50 מם, 75 מם, 100 מם, 150 מם) דיאַמעטער, מיט n-טיפּ, האַלב-ינסאַלייטינג אָדער דאַמי ווייפער פֿאַר ינדאַסטרי. און לאַבאָראַטאָריע אַפּלאַקיישאַן.אַני קאַסטאַמייזד באַשרייַבונג איז פֿאַר די שליימעסדיק לייזונג צו אונדזער קאַסטאַמערז ווערלדווייד.

אַפּפּליקאַטיאָנס

הויך-קוואַליטעט 4H/6H סיליקאָן קאַרבידע סיק ווייפער איז גאנץ פֿאַר די מאַנופאַקטורינג פון פילע הויך-טעמפּעראַטור שנעל, הויך-טעמפּעראַטור און הויך-וואָולטידזש עלעקטראָניש דעוויסעס אַזאַ ווי Schottky דיאָדעס & SBD, הויך-מאַכט סוויטשינג MOSFETs & JFETs, עטק. אויך אַ דיזייראַבאַל מאַטעריאַל אין דער פאָרשונג & אַנטוויקלונג פון ינסאַלייטיד-טויער בייפּאָולער טראַנזיסטערז און טהיריסטאָרס.ווי אַ בוילעט נייַ דור סעמיקאַנדאַקטינג מאַטעריאַל, סיליקאָן קאַרבידע סיק ווייפער אויך סערוועס ווי אַ עפעקטיוו היץ ספּרעדער אין הויך-מאַכט לעדס קאַמפּאָונאַנץ, אָדער ווי אַ סטאַביל און פאָלקס סאַבסטרייט פֿאַר גראָוינג GaN שיכטע אין טויווע פון צוקונפֿט טאַרגעטעד וויסנשאפטלעכע עקספּלעריישאַן.

אָנפרעג איצט

דעטאַילס

טאַגס

טעכניש ספּעסיפיקאַטיאָן

סיליציום קאַרבידע סיק

סיליציום קאַרבידע סיקאין Western Minmetals (SC) קאָרפּאָראַטיאָן קענען זיין צוגעשטעלט אין די גרייס פון 2 ″ 3' 4 ″ און 6 ″ (50 מם, 75 מם, 100 מם, 150 מם) דיאַמעטער, מיט n-טיפּ, האַלב-ינסאַלייטינג אָדער באָק ווייפער פֿאַר ינדאַסטרי און לאַבאָראַטאָריע אַפּלאַקיישאַן .קיין קאַסטאַמייזד באַשרייַבונג איז פֿאַר די שליימעסדיק לייזונג צו אונדזער קאַסטאַמערז ווערלדווייד.

לינעאַר פאָרמולע	SiC
מאָלעקולאַר וואָג	40.1
קריסטאַל סטרוקטור	װארצזיטע
אויסזען	האַרט
מעלטינג פונט	3103±40K
בוילינג פונט	N/A
געדיכטקייַט ביי 300K	3.21 ג / סענטימעטער³
ענערגיע גאַפּ	(3.00-3.23) eV
ינטרינסיק רעסיסטיוויטי	>1E5 Ω-סענטימעטער
CAS נומער	409-21-2
עק נומער	206-991-8

ניין.	זאכן	נאָרמאַל ספּעסיפיקאַטיאָן
1	SiC גרייס	2"	3"	4"	6"
2	דיאַמעטער מם	50.8 0.38	76.2 0.38	100 0.5	150 0.5
3	גראָוט מעטאַד	MOCVD	MOCVD	MOCVD	MOCVD
4	קאַנדאַקטיוואַטי טיפּ	4ה-ען, 6ה-ען, 4ה-סי, 6ה-סי
5	רעסיסטיוויטי Ω-סענטימעטער	0.015-0.028;0.02-0.1;>1E5
6	אָריענטירונג	0°±0.5°;4.0° צו <1120>
7	גרעב μm	330±25	330±25	(350-500)±25	(350-500)±25
8	ערשטיק פלאַך אָרט	<1-100>±5°	<1-100>±5°	<1-100>±5°	<1-100>±5°
9	ערשטיק פלאַך לענג מם	16±1.7	22.2±3.2	32.5±2	47.5±2.5
10	צווייטיק פלאַך אָרט	סיליציום פּנים אַרויף: 90 °, קלאַקווייז פון הויפּט פלאַך ± 5.0 °
11	צווייטיק פלאַך לענג מם	8±1.7	11.2±1.5	18±2	22±2.5
12	TTV μm מאַקס	15	15	15	15
13	בויגן μm מאַקס	40	40	40	40
14	וואָרפּ μm מאַקס	60	60	60	60
15	ברעג עקסקלוסיאָן מם מאַקס	1	2	3	3
16	מיקראָפּיפּע געדיכטקייַט סענטימעטער-2	<5, ינדאַסטרי;<15, לאַב;<50, באָק
17	דיסלאָוקיישאַן סענטימעטער-2	<3000, ינדאַסטרי;<20000, לאַב;<500000, באָק
18	ייבערפלאַך ראַפנאַס nm מאַקס	1 (פּאָלישט), 0.5 (קמפּ)
19	קראַקס	גאָרניט, פֿאַר ינדאַסטריאַל מיינונג
20	כעקסאַגאַנאַל פּלאַטעס	גאָרניט, פֿאַר ינדאַסטריאַל מיינונג
21	סקראַטשיז	≤3מם, גאַנץ לענג ווייניקער ווי סאַבסטרייט דיאַמעטער
22	ברעג טשיפּס	גאָרניט, פֿאַר ינדאַסטריאַל מיינונג
23	פּאַקינג	איין ווייפער קאַנטיינער געחתמעט אין אַלומינום קאָמפּאָסיטע זעקל.

סיליציום קאַרבידע סיק 4 ה / 6 ההויך-קוואַליטעט ווייפער איז גאנץ פֿאַר די מאַנופאַקטורינג פון פילע הויך-קוואַליטעט שנעל, הויך-טעמפּעראַטור און הויך-וואָולטידזש עלעקטראָניש דעוויסעס אַזאַ ווי סטשאָטטקי דיאָדעס און סבד, הויך-מאַכט סוויטשינג מאָספעץ & דזשפעץ, אאז"ו ו. עס איז אויך אַ דיזייעראַבאַל מאַטעריאַל פאָרשונג און אַנטוויקלונג פון בייפּאָולער טראַנזיסטערז און טהיריסטאָרס מיט ינסאַלייטיד טויער.ווי אַ בוילעט נייַ דור סעמיקאַנדאַקטינג מאַטעריאַל, סיליקאָן קאַרבידע סיק ווייפער אויך סערוועס ווי אַ עפעקטיוו היץ ספּרעדער אין הויך-מאַכט לעדס קאַמפּאָונאַנץ, אָדער ווי אַ סטאַביל און פאָלקס סאַבסטרייט פֿאַר גראָוינג GaN שיכטע אין טויווע פון צוקונפֿט טאַרגעטעד וויסנשאפטלעכע עקספּלעריישאַן.